对比图
描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONSRF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONSRF功率晶体管NPN硅 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Chassis
封装 - M-111 244-04
引脚数 - 6 -
耗散功率 - 270 W 55 W
输出功率 - - 20 W
击穿电压(集电极-发射极) - 18 V 33 V
增益 - 6 dB 11 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @5A, 5V 20 @1A, 5V
额定功率(Max) - 270 W 20 W
额定电压(DC) - 18.0 V -
额定电流 - 20.0 A -
最大电流放大倍数(hFE) - 10 @5A, 5V -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 270000 mW -
封装 - M-111 244-04
长度 - 24.89 mm -
宽度 - 21.97 mm -
高度 - 7.11 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
工作温度 - 200℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -