2N4900和JANTX2N3740

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4900 JANTX2N3740 JAN2N3740

描述 2N4900 -- Local Stock w/CERTSPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-66 TO-66 -

耗散功率 - 25 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @250mA, 1V -

额定功率(Max) - 25 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

封装 TO-66 TO-66 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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