对比图
型号 IRF3205STRLPBF IRF3205STRRPBF IRF3205S
描述 INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 110ATrans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管N沟道MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-263
额定功率 200 W 200 W -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.008 Ω 8 mΩ -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 4 V 2V ~ 4V -
输入电容 3247 pF 3247 pF 3.25 nF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55.0 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110 A
上升时间 101 ns 101 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds) -
下降时间 65 ns 65 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 110 A
产品系列 - - IRF3205S
栅电荷 - - 146 nC
针脚数 3 - -
额定功率(Max) 200 W - -
长度 10.67 mm 6.5 mm -
宽度 9.65 mm 6.22 mm -
高度 4.83 mm 2.3 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-263
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 - - NLR