对比图
型号 FQP5N30 STP7NB30 STP7NK30Z
描述 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFETN - CHANNEL 300V - 0.75ohm - 7A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 300V - 0.75ohm - 7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFETN沟道300V - 0.80欧姆 - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 300V - 0.80 OHM - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) 300 V - 300 V
额定电流 5.40 A - 5.00 A
漏源极电阻 900 mΩ 900 mΩ 0.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 85.0 W 50 W
阈值电压 - - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 300 V - 300 V
漏源击穿电压 300 V 300 V 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.40 A 4.40 A 5.00 A
上升时间 55 ns - 25 ns
输入电容(Ciss) 430pF @25V(Vds) - 380pF @25V(Vds)
下降时间 27 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) - 50W (Tc)
通道数 1 - -
额定功率(Max) 70 W - -
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 16.3 mm - 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -