STB60NF06LT4和STB60NF06T4

对比图

型号 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 IRLZ44ZSPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETN沟道 55V 51A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 55.0 V

额定电流 60.0 A 60.0 A 51.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.016 Ω 15.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 80 W

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60.0 A 51.0 A

上升时间 220 ns 108 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 80 W

下降时间 30 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -

产品系列 - - IRLZ44ZS

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -