MLD1N06CL和MLD1N06CLT4G

对比图

型号 MLD1N06CL MLD1N06CLT4G MLD1N06CLT4

描述 SMARTDISCRETES TM MOSFET 1安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAKSMARTDISCRETES TM MOSFET 1安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAKSMARTDISCRETES TM MOSFET 1安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管FET驱动器

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 - TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 62.0 V 62.0 V

额定电流 - 1 A 1.00 A

无卤素状态 - Halogen Free -

漏源极电阻 - 750 mΩ 750 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 40 W 40 W

漏源极电压(Vds) - 59 V 62.0 V

漏源击穿电压 - 62.0 V 62.0 V

栅源击穿电压 - ±10.0 V ±10.0 V

连续漏极电流(Ids) - 1.00 A 1.00 A

上升时间 - 4 ns 4 ns

下降时间 - 3 ns 3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40000 mW -

额定电压 - 65 V -

输出接口数 - - 1

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 - TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 - - -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -