对比图
型号 MMDF1N05ER2 NDS9945 MMDF1N05ER2G
描述 功率MOSFET 1安培， 50伏特N通道SO- 8 ，双 Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual双 N沟道 60 V 0.1 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOIC-8ON SEMICONDUCTOR MMDF1N05ER2G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 300 mΩ 0.1 Ω 0.3 Ω
耗散功率 2.00 W 2 W 2 W
阈值电压 - 1.7 V 3 V
输入电容 - 345 pF -
漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 50 V
上升时间 - 7.5 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 900 mW 2 W
下降时间 - 7 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W 2 W
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 1.00 A - 1.00 A
极性 N-Channel - N-Channel, Dual N-Channel
漏源击穿电压 50.0 V - 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A - 2.00 A
通道数 - - 2
长度 - 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.9 mm 4 mm
高度 - 1.57 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99