对比图
描述 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN SiliconSSTA14 达林顿NPN 30V 0.3A 125MHZ HEF=10000~20000 SOT23 代码 R1NON SEMICONDUCTOR MPSA14G 双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-92-3 SOT-23 TO-226-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 500 mA - 500 mA
极性 NPN PNP NPN
耗散功率 625 mW - 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V - 20000 @100mA, 5V
额定功率(Max) 625 mW - 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
增益带宽 125MHz (Min) - 125MHz (Min)
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
额定功率 - - 625 mW
输出电压 - - 30 V
输出电流 - - 500 mA
针脚数 - - 3
直流电流增益(hFE) - - 20000
输入电压 - - 10 V
长度 5.2 mm - 5.2 mm
宽度 4.19 mm - -
高度 5.33 mm - -
封装 TO-92-3 SOT-23 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99