KSH44H11-I和KSH44H11I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH44H11-I KSH44H11I KSH44H11ITU

描述 通用功率和应用的D- PAK表面贴装应用切换如输出或驱动器级 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications通用功率和应用的D- PAK表面贴装应用切换如输出或驱动器级 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount ApplicationsNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-251 TO-251-3

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 8.00 A

极性 - - NPN

耗散功率 - - 20 W

增益频宽积 - - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - - 80 V

集电极最大允许电流 - - 8A

最小电流放大倍数(hFE) - - 40 @4A, 1V

额定功率(Max) - - 1.75 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1750 mW

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 2.3 mm

高度 - - 6.1 mm

封装 - TO-251 TO-251-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司