对比图
型号 FQB12N60C FQB12N60TM_AM002 FQB12N60CTM
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 600V 12A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 12A 10.5 A 12.0 A
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 10.5 A 12.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 700 mΩ 650 mΩ
耗散功率 - 3.13W (Ta), 180W (Tc) 225 W
输入电容 - 1.90 nF 2.29 nF
栅电荷 - 54.0 nC 63.0 nC
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
上升时间 - - 85 ns
输入电容(Ciss) - 1900pF @25V(Vds) 2290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.13 W
下降时间 - - 90 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc)
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99