对比图
型号 IRFH5304TRPBF SIR466DP-T1-GE3 IRFH5304TR2PBF
描述 INFINEON IRFH5304TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 79A, 30V, 3.6WVISHAY SIR466DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PQFN-8 SOIC VQFN-8
漏源极电阻 4.5 mΩ 0.0029 Ω 0.0038 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3.6 W 54 W 46 W
阈值电压 2.35 V 1.2 V 2.35 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 79.0 A 40.0 A 22A
上升时间 25 ns 19 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 2360pF @10V(Vds) 2730pF @15V(Vds) 2360pF @10V(Vds)
下降时间 6.6 ns 15 ns 6.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta) 5 W 3.6W (Ta), 46W (Tc)
针脚数 8 8 -
额定功率 3.6 W - -
通道数 1 - -
产品系列 IRFH5304 - -
额定功率(Max) 3.6 W - -
长度 - 5.15 mm 5 mm
宽度 5 mm 5.89 mm 6 mm
高度 - 1.04 mm 0.81 mm
封装 PQFN-8 SOIC VQFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17