2N6990和JAN2N6990

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6990 JAN2N6990 JANTXV2N6990

描述 多个( QUAD ) NPN硅双列直插式 MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINETrans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAKSmall Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-86,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 14 14 -

封装 TO-116-14 Flatpack-14 -

耗散功率 1.5 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 400 mW 400 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

封装 TO-116-14 Flatpack-14 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -

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