FQP4N90C和STP3NK90Z

对比图

型号 FQP4N90C STP3NK90Z FQP3N90

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 900 V 900 V 900 V

额定电流 4.00 A 3.00 A 3.60 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 3.5 Ω 4.1 Ω 4.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 90 W 130W (Tc)

阈值电压 5 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 3.00 A 3.60 A

上升时间 50 ns 7 ns -

输入电容(Ciss) 960pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 90 W 130 W

下降时间 35 ns 18 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 90000 mW 130W (Tc)

额定功率 - 90 W -

长度 9.9 mm 10.4 mm -

宽度 4.5 mm 4.6 mm -

高度 9.2 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -