FDS6688S和FDS8672S

对比图

型号 FDS6688S FDS8672S FDS6689S

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8672S  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 6.00 mΩ 0.0038 Ω 5.40 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)

阈值电压 - 2.1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 18A 16.0 A

上升时间 12 ns 4 ns 12.0 ns

输入电容(Ciss) 3290pF @15V(Vds) 2670pF @15V(Vds) 3290pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

下降时间 60 ns 3 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 16.0 A - 16.0 A

输入电容 3.29 nF - 3.29 nF

栅电荷 56.0 nC - 56.0 nC

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

高度 1.75 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99