对比图
型号 IRFB38N20DPBF IRFB4127PBF IRFB4227PBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFB4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 200 V, 17 mohm, 20 V, 5 VINFINEON IRFB4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 320 W 375 W 190 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.054 Ω 0.017 Ω 0.0197 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 320 W 375 W 330 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
输入电容 2900 pF 5380 pF 4600 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 38A 76A 65A
上升时间 95 ns 18 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 5380pF @50V(Vds) 4600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 375 W 330 W
下降时间 47 ns 22 ns 31 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 375000 mW 330W (Tc)
漏源击穿电压 - - 200 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.66 mm
宽度 4.83 mm 4.4 mm 4.82 mm
高度 16.51 mm 15.65 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17