HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
立创商城:
N沟道 200V 43A
得捷:
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRFB38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 44 A, 200 V, 54 mohm, 10 V, 5 V
儒卓力:
**N-CH 200V 43A 54mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
额定功率 320 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 N-CH
耗散功率 320 W
阈值电压 5 V
输入电容 2900 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 消费电子产品, Consumer Electronics, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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