对比图
型号 STI90N4F3 STP95N04 STD95N04
描述 N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETN沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFETN沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
额定电流 - 80.0 A 80.0 A
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 5.4 mΩ 6.5 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 110W (Tc) 110 W 110 W
输入电容 - 2.20 nF 2.20 nF
栅电荷 - 54.0 nC 54.0 nC
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - 40 V 40 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80.0 A
上升时间 - 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 110 W
下降时间 - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 6.2 mm
高度 - 9.15 mm 2.4 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free