MMSF3P02HDR2和MMSF3P02HDR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMSF3P02HDR2 MMSF3P02HDR2G IRF7204TR

描述 功率MOSFET 3安培, 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorSOIC P-CH 20V 5.3A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -3.00 A -3.00 A -

漏源极电阻 75 mΩ 0.06 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Tc)

阈值电压 - 1.5 V -

输入电容 - 1.40 nF -

栅电荷 - 46.0 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.60 A 5.60 A 5.3A

上升时间 135 ns 135 ns -

输入电容(Ciss) 1400pF @16V(Vds) 1400pF @16V(Vds) 860pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)

通道数 1 - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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