对比图



型号 MMSF3P02HDR2 MMSF3P02HDR2G IRF7204TR
描述 功率MOSFET 3安培, 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorSOIC P-CH 20V 5.3A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -3.00 A -3.00 A -
漏源极电阻 75 mΩ 0.06 Ω -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Tc)
阈值电压 - 1.5 V -
输入电容 - 1.40 nF -
栅电荷 - 46.0 nC -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V 20.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.60 A 5.60 A 5.3A
上升时间 135 ns 135 ns -
输入电容(Ciss) 1400pF @16V(Vds) 1400pF @16V(Vds) 860pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
通道数 1 - -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -