对比图
型号 IPD80R2K8CEATMA1 SPD01N60C3BTMA1 IPD80R2K8CEBTMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 600V 0.8ADPAK N-CH 800V 1.9A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 3 -
额定功率 - - 42 W
通道数 - - 1
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 42 W 11W (Tc) 42 W
阈值电压 3 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 650 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 1.9A 0.8A 1.9A
上升时间 15 ns 25 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 290pF @100V(Vds) 100pF @25V(Vds) 290pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 11 W 42 W
下降时间 18 ns 30 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 42W (Tc) 11W (Tc) 42W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 2.4 Ω - -
长度 - 6.5 mm 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free