对比图
型号 MUN5212DW1T1G PUMH1@115 MUN5212DW1T1
描述 ON SEMICONDUCTOR MUN5212DW1T1G. 晶体管PUMH1@115双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363 - SOT-363
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
无卤素状态 Halogen Free - -
极性 NPN NPN Dual N-Channel
耗散功率 0.385 W - 385 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V
集电极最大允许电流 100mA - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V - 60 @5mA, 10V
额定功率(Max) 250 mW - 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW
封装 SOT-363 - SOT-363
高度 - - 0.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -