MUN5212DW1T1G和PUMH1@115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5212DW1T1G PUMH1@115 MUN5212DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5212DW1T1G.  晶体管PUMH1@115双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 - SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN NPN Dual N-Channel

耗散功率 0.385 W - 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V - 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

封装 SOT-363 - SOT-363

高度 - - 0.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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