对比图
型号 IRF3315STRLPBF IRF3315STRRPBF IRF3315STRL
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 150V 21AD2PAK N-CH 150V 21A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定功率 94 W 94 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.082 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 3.8 W 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 21A 21A 21.0 A
上升时间 32 ns - 32 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W - -
下降时间 38 ns - 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
额定电压(DC) - - 150 V
额定电流 - - 21.0 A
产品系列 - - IRF3315S
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm 9.65 mm -
高度 4.83 mm - -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead