对比图
型号 AO4822A IRF7313TRPBF FDS6990A
描述 30V,8.5A,双N沟道MOSFETMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 V
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 1.3 W - 2 W
极性 N-CH Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 1.6 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8A 6.50 A 7.50 A
上升时间 3.5 ns 8.90 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 888pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds) 1235pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW
下降时间 3.5 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW - 1.6 W
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 6.50 A 7.50 A
通道数 - - 2
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - 0.046 Ω 0.011 Ω
阈值电压 - 1 V 1.9 V
输入电容 - 650pF @25V 1.23 nF
栅电荷 - - 12.0 nC
漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
产品系列 - IRF7313 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.57 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99