BU323Z和BU941ZP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU323Z BU941ZP BU323ZG

描述 AUTOPROTECTED达林顿10安培360-450伏CLAMP 150瓦 AUTOPROTECTED DARLINGTON 10 AMPERES 360-450 VOLTS CLAMP 150 WATTSSTMICROELECTRONICS  BU941ZP  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 155 W, 12 A, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  BU323ZG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 35.0 V 350 V 35.0 V

额定电流 10.0 A 15.0 A 10.0 A

额定功率 - 155 W -

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 155 W 150 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

最小电流放大倍数(hFE) 500 @5A, 4.6V 300 @5A, 10V 500 @5A, 4.6V

额定功率(Max) 150 W 155 W 150 W

直流电流增益(hFE) - 300 500

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 155000 mW 150000 mW

集电极最大允许电流 10A - 10A

最大电流放大倍数(hFE) 3400 - 3400

长度 - 15.75 mm 15.2 mm

宽度 - 5.15 mm 4.9 mm

高度 - 20.15 mm 16.2 mm

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 30 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台