BCR108WH6327XTSA1和PDTC123JE,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR108WH6327XTSA1 PDTC123JE,115

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3NXP  PDTC123JE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-416-3

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 0.25 W 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 150 mW

增益带宽 170 MHz -

长度 - 1.8 mm

宽度 - 0.9 mm

高度 - 0.85 mm

封装 SOT-323-3 SOT-416-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Last Time Buy Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -

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