SI3483DV-T1-E3和SI3499DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3483DV-T1-E3 SI3499DV-T1-E3 SI3483CDV-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOPP沟道1.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFETTrans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6Pin TSOP T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Semiconductor (威世) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOT-23-6 TSOP TSOT-23-6

引脚数 6 - -

漏源极电阻 0.028 Ω 48.0 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 1.14 W 1.10 W 4.2 W

漏源极电压(Vds) 30 V -8.00 V -

栅源击穿电压 - ±5.00 V -

连续漏极电流(Ids) -6.20 A -7.00 A -

上升时间 - - 15 ns

输入电容(Ciss) - - 1000pF @15V(Vds)

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.14W (Ta) - 2W (Ta), 4.2W (Tc)

封装 TSOT-23-6 TSOP TSOT-23-6

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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