对比图
型号 FDP047N10 IPP041N12N3GXKSA1 PSMN027-100PS,127
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3TO-220AB N-CH 100V 37A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 375 W 300 W 103 W
阈值电压 3.5 V 3 V 4.8 V
漏源极电压(Vds) 100 V 120 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 164A 120A 37A
上升时间 - 52 ns 11.4 ns
输入电容(Ciss) 15265pF @25V(Vds) 10400pF @25V(Vds) 1624pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 375 W - 103 W
下降时间 - 21 ns 8.9 ns
耗散功率(Max) 375000 mW 300 W 103W (Tc)
漏源极电阻 0.0039 Ω 0.0035 Ω -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率 - 300 W -
针脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.1 mm 10.36 mm -
宽度 4.7 mm 4.57 mm -
高度 9.4 mm 15.95 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -