BZX55-C12和BZX55C12-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55-C12 BZX55C12-TR BZX79C12RA1

描述 0.5W(1/2W) Zener DiodeVISHAY  BZX55C12-TR  齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 3.9 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

容差 - ±5 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 12 V -

正向电压(Max) - 1.5V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

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