对比图
型号 IRF6635 IRF6635TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 30V 32AINFINEON IRF6635TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 7
封装 Direct-FET DirectFET-MX
额定功率 - 89 W
针脚数 - 7
漏源极电阻 - 0.0013 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.8W (Ta), 89W (Tc) 89 W
阈值电压 - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32A
上升时间 13.0 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 5970pF @15V(Vds) 5970pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.8 W
下降时间 - 8.3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 32.0 A -
产品系列 IRF6635 -
输入电容 - -
栅电荷 - -
漏源击穿电压 30.0 V -
长度 - 6.35 mm
宽度 - 5.05 mm
高度 - 0.7 mm
封装 Direct-FET DirectFET-MX
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17