MMBT6429LT1G和PMBT6429,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6429LT1G PMBT6429,215 MMBT6429LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFEPMBT6429 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 700 MHz 700 MHz 700 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 250 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.1A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 500 500 @100µA, 5V 500 @100µA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 500 @0.1mA, 5V -

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 500 500 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 300 mW

额定电压(DC) 45.0 V - 50.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 1.01 mm - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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