FJN3302RTA和PDTC114ES,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJN3302RTA PDTC114ES,126

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJN3302RTA  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, TO-226AASPT NPN 50V 100mA

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-92-3 TO-226-3

耗散功率 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

增益带宽 250 MHz -

耗散功率(Max) 300 mW -

极性 NPN NPN

集电极最大允许电流 100mA 100mA

额定电压(DC) 50.0 V -

额定电流 100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) 30 -

长度 1.7 mm -

宽度 0.98 mm -

高度 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Box Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -

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