MJW21194G和MJW21196G

对比图

型号 MJW21194G MJW21196G MJW21194

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJW21194G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 2 A, 20 hFEON SEMICONDUCTOR  MJW21196G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 200 W, 16 A, 20 hFE16互补硅功率晶体管250 V ， 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

频率 4 MHz 4 MHz -

额定电压(DC) 250 V 250 V 250 V

额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 W 200 W 200 W

增益频宽积 - 4 MHz 4 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 16A 16A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

额定功率(Max) 200 W 200 W 200 W

直流电流增益(hFE) 20 20 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW -

长度 16.26 mm 16.26 mm 16.26 mm

宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.3 mm

高度 21.08 mm 21.08 mm 21.08 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99