对比图
型号 SPA20N65C3 STF16N65M5 STF23NM60N
描述 新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt ratedSTMICROELECTRONICS STF16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 20.7 A - -
通道数 1 - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 34.5 W 90 W 35 W
输入电容 2.40 nF 1250 pF -
栅电荷 114 nC - -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 20.7 A 12A 9.50 A
上升时间 5 ns 7 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 34.5 W 25 W -
下降时间 4.5 ns 8 ns 36 ns
耗散功率(Max) 34.5W (Tc) 25000 mW 35W (Tc)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.23 Ω -
阈值电压 - 4 V -
长度 10.65 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.15 mm 9.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -