2N6660和VP2206N3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6660 VP2206N3 BS170

描述 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 VMOSFET 60V 0.9Ω小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-39-3 TO-92-3 TO-226-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

耗散功率 6.25 W 1 W 350 mW

上升时间 - 16 ns -

下降时间 - 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 500 mA

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 3 Ω - 5 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 2 V - 2.1 V

输入电容 - - 60.0 pF

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 500 mA

输入电容(Ciss) 50pF @24V(Vds) - 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - - 830 mW

耗散功率(Max) 6.25W (Tc) - 350mW (Ta)

长度 - 5.21 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-39-3 TO-92-3 TO-226-3

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

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