对比图
型号 FDG6317NZ PMGD280UN,115 SI1902DL-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6317NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 VNXP PMGD280UN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SOT-323-6 SC-70-6
通道数 - 2 -
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.3 Ω 0.28 Ω 0.32 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 300 mW 400 mW 0.3 W
阈值电压 1.2 V 700 mV 1.5 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 700 mA 870 mA 660 mA
上升时间 7 ns 10 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 66.5pF @10V(Vds) 45pF @20V(Vds) -
额定功率(Max) 300 mW 400 mW 270 mW
下降时间 2.5 ns 5 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.3 W 0.4 W 300 mW
漏源击穿电压 20.0 V - 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 700 mA - -
输入电容 66.5 pF - -
栅电荷 760 pC - -
长度 2 mm 2.2 mm -
宽度 1.25 mm 1.35 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 SC-70-6 SOT-323-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -