对比图
型号 APT60GT60BRG IXGX120N60B STGW50HF60S
描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesIGBT 600V 200A 660W TO247Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 284000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 100 A 200 A -
上升时间 - 45.0 ns -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 500 W 660 W 284 W
耗散功率 500000 mW - 284000 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 500000 mW - 284000 mW
宽度 - 5.21 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99