对比图
型号 W987D6HBGX6E W987D6HBGX7E IS45VM16800E-75BLA2
描述 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGAIc Sdram 128Mbit 133MHz 54bga
数据手册 ---
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
引脚数 54 54 -
封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54
位数 16 16 -
存取时间(Max) 6ns, 5.4ns 8ns, 5.4ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -
工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃ -
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V
供电电流 - 70 mA -
封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54
工作温度 -25℃ ~ 85℃ -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃ (TA)
产品生命周期 Not For New Designs Active Obsolete
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99 -