BD1376S和BD137G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD1376S BD137G BD13716

描述 Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFEPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-126-3 TO-126-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 1.50 A 6.00 A -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W -

频率 - 50 MHz -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 65 W -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.25 W -

封装 TO-126-3 TO-126-3 -

长度 - 7.74 mm -

宽度 - 2.66 mm -

高度 - 11.04 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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