对比图
型号 IRF820ALPBF SPP02N60C3 IRF820AL
描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262INFINEON SPP02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 VMOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
引脚数 - 3 -
耗散功率 50W (Tc) 25 W 50W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 500 V
输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 50W (Tc) - 50W (Tc)
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 1.80 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 2.7 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 3 V -
输入电容 - 200 pF -
栅电荷 - 12.5 nC -
连续漏极电流(Ids) - 1.80 A -
上升时间 - 3 ns -
额定功率(Max) 50 W 25 W -
下降时间 - 12 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
长度 10.67 mm 10 mm -
宽度 4.83 mm 4.4 mm -
高度 9.65 mm 15.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -