IPP80N06S2LH5AKSA1和STP80NF55-08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP80N06S2LH5AKSA1 STP80NF55-08 IPP80N06S2LH5AKSA2

描述 TO-220 N-CH 55V 80ASTMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VN-CH 55V 80A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - - 1

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80A

上升时间 - 110 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

下降时间 - 35 ns 22 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.008 Ω -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 55.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) - 300 W -

长度 - 10.4 mm 10 mm

宽度 - 4.6 mm 4.4 mm

高度 - 15.75 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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