AO3403和NDS332P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO3403 NDS332P NDS356AP

描述 -30V,-2.6A,155mΩ,P沟道MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS332P....  晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 410 mohm, -4.5 V, -600 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS356AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -20.0 V -30.0 V

额定电流 - -1.00 A -1.10 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 300 mΩ 300 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.4 W 500 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 - 20 V -30.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.6A 1.00 A 1.10 A

上升时间 3.5 ns 30 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 315pF @15V(Vds) 195pF @10V(Vds) 280pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 460 mW 460 mW

下降时间 5 ns 27 ns 38 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 500 mW 500mW (Ta)

额定功率 0.9 W - -

长度 - 2.92 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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