BC850BLT1G和BC850BW,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC850BLT1G BC850BW,135 BC847B-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFESC-70 NPN 45V 0.1ABC847B 系列 NPN 45 V 300 mW 小信号 晶体管 表面贴装 -SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 100 mA - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 200 mW 300 mW

增益频宽积 100 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 200 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 200 - 330

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 200 mW 350 mW

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.11 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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