对比图
型号 IRFR9014PBF IRFR9024NPBF
描述 VISHAY IRFR9014PBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.1A, D-PAKP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252 TO-252-3
额定功率 25 W 38 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.5 Ω 0.175 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 25 W 38 W
阈值电压 - 4 V
输入电容 - 350 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) -5.10 A 11A
上升时间 63.0 ns 55 ns
反向恢复时间 - 47 ns
正向电压(Max) - 1.6 V
输入电容(Ciss) 270pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 38 W
下降时间 - 37 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max) 2.5 W 38W (Tc)
额定电压(DC) -60.0 V -
额定电流 -5.10 A -
漏源击穿电压 -60.0 V -
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free