对比图
型号 IRLML5103GTRPBF IRLML5103PBF IRLML5103TRPBF
描述 P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLML5103PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 VINFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 540 mW 540 mW 540 mW
阈值电压 1 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 0.76A 0.76A 0.76A
上升时间 8.2 ns - 8.2 ns
输入电容(Ciss) 75pF @25V(Vds) - 75pF @25V(Vds)
下降时间 16 ns - 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 540 mW - 540 mW
额定功率 - - 0.54 W
输入电容 - - 75 pF
额定功率(Max) - - 540 mW
长度 3.04 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 1.02 mm - 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17