对比图
型号 NTGS4141NT1G PMN38EN,135 FDC653N
描述 ON SEMICONDUCTOR NTGS4141NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.0215 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 5.00 A - 5.00 A
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.0215 Ω - 35 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 1.75 W 1.6 W
阈值电压 3 V - 1.7 V
输入电容 560 pF - 350 pF
栅电荷 12.0 nC - 12.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 5.4A 5.00 A
上升时间 15 ns 19 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 560pF @24V(Vds) 495pF @25V(Vds) 350pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 500 mW - 800 mW
下降时间 4 ns 16 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1.75W (Tc) 1.6W (Ta)
长度 3.1 mm 3.1 mm 3 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm 1.7 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99