2N3636和JANSR2N3637

对比图

型号 2N3636 JANSR2N3637 2N3637

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3Pin TO-39Trans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

引脚数 - 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-39

安装方式 Through Hole Through Hole -

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

耗散功率 - 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 175 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @50mA, 10V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -