对比图
型号 IPP60R099CPA STP34NM60N IPW60R099CP
描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorSTMICROELECTRONICS STP34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPW60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 99 mΩ 0.092 Ω 99 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 255 W 210 W 255 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
上升时间 5 ns 34 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2722pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 255 W 210 W 255 W
下降时间 5 ns 70 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 250W (Tc) 255W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 31A - 31.0 A
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 31.0 A
输入电容 - - 2.80 nF
栅电荷 - - 80.0 nC
长度 10 mm 10.4 mm 16.13 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 5.21 mm
高度 15.65 mm 15.75 mm 21.1 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99