ULN2003A和ULQ2003A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2003A ULQ2003A ULN2003AN

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列,包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管,用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚,采用 IC 封装,用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平,用于 TTL 或 CMOS。### 达林顿晶体管驱动器TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AN  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 16

封装 DIP-16 DIP-16 PDIP-16

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

输出接口数 7 - 7

输出电压 ≤50.0 V 50 V 50 V

通道数 7 - 7

针脚数 16 - 16

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2.25 W - 25 W

输入电容 15.0 pF 15.0 pF 15.0 pF

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V -

输出电流(Max) 500 mA - 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 1000 600

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

输出电流 - 500 mA 0.6 A

输入电压 - 30 V 30 V

正向电压 - - 1.70 V

输入电流 - - 930 µA

驱动器/包 - - 7

集电极最大允许电流 - - 0.5A

输入电压(Max) - - 5 V

输出电压(Max) - - 50 V

长度 20 mm 20 mm 19.3 mm

宽度 7.1 mm 7.1 mm 6.35 mm

高度 5.1 mm 4.59 mm 4.57 mm

封装 DIP-16 DIP-16 PDIP-16

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 150℃ (TJ) -20℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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