对比图
型号 IRF8910 IRF8910PBF
描述 SOIC N-CH 20V 10AINFINEON IRF8910PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 20 V, 13.4 mohm, 10 V, 2.55 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SO-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 13.4 mΩ
极性 N-CH Dual N-Channel
耗散功率 - 2 W
阈值电压 - 2.55 V
漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V
漏源击穿电压 - 20 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A
上升时间 10 ns 10 ns
热阻 62.5 K/W 62.5℃/W (RθJA)
输入电容(Ciss) - 960pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W
下降时间 4.1 ns 4.1 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
额定电压(DC) 20.0 V -
额定电流 10.0 A -
产品系列 IRF8910 -
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.5 mm
封装 SO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17