FDC633N和FDC633N_NL

对比图

型号 FDC633N FDC633N_NL

描述 N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor30V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

封装 TSOT-23-6 SuperSOT

安装方式 Surface Mount -

极性 N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.20 A 5.2A

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 5.20 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 42 mΩ -

耗散功率 1.6 W -

输入电容 538 pF -

栅电荷 11.0 nC -

漏源击穿电压 30 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V -

上升时间 17 ns -

输入电容(Ciss) 538pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 800 mW -

下降时间 5.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) -

封装 TSOT-23-6 SuperSOT

长度 2.9 mm -

宽度 1.6 mm -

高度 1.1 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -