BSP170P和BSP613P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP170P BSP613P IRFL9014TRPBF

描述 SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-TransistorInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能MOS(场效应管)/IRFL9014TRPBF

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 SOT-223 SOT-223-4 SOT-223

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -2.90 A -1.80 A

极性 - P-CH P-Channel

耗散功率 - 1.8W (Ta) 2.00 W

漏源极电压(Vds) - 60 V 60.0 V

漏源击穿电压 - - -60.0 V

连续漏极电流(Ids) - 2.90 A 1.80 A

上升时间 - - 63.0 ns

输入电容 - 875 pF -

栅电荷 - 33.0 nC -

输入电容(Ciss) - 875pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.8W (Ta) -

封装 SOT-223 SOT-223-4 SOT-223

长度 - 40 mm -

宽度 - 40 mm -

高度 - 1.5 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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